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    3. 《電子技術應用》
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      pSemi公司推出完整的5G毫米波射頻前端(RFFE)解決方案

      多功能產品組合覆蓋 24-40GHz 頻段,展示了集成模塊、分立波束成形及升降頻轉換器射頻集成電路(RFIC)等技術
      2022-03-18
      來源:pSemi公司
      關鍵詞: pSemi 5G毫米波 RFFE

      圣迭戈,2022年2月1日——村田旗下公司、專注于半導體集成技術的pSemi? Corporation宣布將其毫米波(mmWave)射頻前端產品組合拓展至5G無線基礎設施應用領域。新型管腳到管腳(pin-to-pin)兼容產品由三個波束成形器IC和兩個升降頻轉換器組成,可以靈活地實現IC互換,在n257、n258和n260頻段實現中頻到射頻全覆蓋。這種模塊化方法與片上校準和數字校正相結合,有助于系統團隊簡化設計周期,并快速適應不同的有源天線設計配置。該多元化產品組合可作為分立射頻集成電路(RFIC)使用,也可作為Murata 28 GHz天線集成模塊的一部分,采用小巧的IC外形尺寸設計,集性能、集成度和可靠性于一身。

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      pSemi 5G毫米波產品集成組合提供獨立IC以及天線集成模塊。

      在智能中繼器、室內基站和其他小型蜂窩應用程序的支持下,毫米波將首先在人口密集的城市地區進行主流部署,實現短距離覆蓋。波束成形和有源天線系統的普及,以及人們對網絡容量的需求不斷增加,為SOI-CMOS技術成為先進5G系統的首選毫米波平臺開辟了新的機遇。

      pSemi銷售和營銷副總裁Vikas Choudhary表示:“自2015年以來,pSemi始終致力于提供毫米波產品,并不斷深化我們在高頻射頻SOI設計領域的專業知識和專利組合。這些經驗,再加上母公司村田的先進封裝和全球制造實力,使我們能夠支持更高水平的集成,簡化5G毫米波產品的開發和部署?!?/p>

      8通道波束成形器射頻集成電路的特點和優勢

      每個UltraCMOS? PE188100、PE188200和PE189100 射頻集成電路都在單晶片中集成了功率放大器(PA)、低噪聲放大器(LNA)、移相器、波束成形器、開關和混頻器,為多達1024個振子的天線陣列提供最佳的信號強度。

      ?全頻譜覆蓋——支持n257 (PE188200)、n258 (PE188100) 和 n260 (PE189100) 頻段,具有管腳到管腳(pin-to-pin)兼容性

      ?靈活的天線設計——八個獨立可控的射頻通道,支持四個雙極化或八個單極化天線單元

      ?波束成形精度——在期望的誤差向量幅度(EVM)方面提供線性POUT,具有較低的方均根相位誤差和幅度誤差,可提高天線陣列增益和天線方向性。

      雙通道升降頻轉換器射頻集成電路的特點和優勢

      每個 PE128300 和PE129100 都在單晶片中集成了振蕩器、混頻器、放大器和開關,可與多達16個pSemi波束成形射頻集成電路或總共128個波束成形器通道配對,以支持大規模 MIMO、混合波束成形及其他有源天線配置。

      ?寬帶覆蓋——支持n257/n258 (PE128300) 和 n260 (PE129100) 頻段,具有管腳到管腳(pin-to-pin)兼容性

      ?低噪聲系統設計——優化I/Q平衡調節能力,最大限度地降低本振(LO)泄漏,從而提高誤差向量幅度(EVM)表現

      ?低功耗——業界領先的低功耗特性,可有效降低系統散熱設計要求

      5G天線集成模塊的特點和優勢

      pSemi 和村田共同打造了一款易于使用的5G毫米波天線集成模塊(1QT型),該模塊支持28 GHz頻段。在4 x 4天線陣列中,每個模塊都集成了高性能天線和帶通濾波器以及pSemi波束成形器IC和升降頻轉換器。多個模塊可以組合在一起,便于設計人員快速擴展和構建不同規模的天線陣列。

      ?精密低溫共燒陶瓷(LTCC)基板封裝——優異的耐熱性和防潮性,即使在惡劣環境下也能實現穩定的性能和熱管理

      ?先進的帶通濾波器技術——低插入損耗和高衰減,可減少干擾,并最大限度地提升信號完整性

      ?通過整機無線輻射性能(OTA)制造測試——性能已通過OTA制造測試驗證,可簡化開發流程

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