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        《電子技術應用》
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        豪威集團發布業內最低內阻雙N溝道MOSFET

        2022-06-28
        來源:豪威集團

        電源管理系統要實現高能源轉換效率、完善可靠的故障保護,離不開高性能的開關器件。近日,豪威集團全新推出兩款MOSFET:業內最低內阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。

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        WNMD2196A超低Rss(ON),專為手機鋰電池保護設計

        近幾年,手機快充技術飛速發展,峰值充電功率屢創新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時,高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護開關的作用,其本身對功率的損耗也必須足夠低才能滿足高效、低發熱的要求。

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        雙N溝道增強型MOSFET,WNMD2196A具有業內同類產品最低內阻,RSS(ON)低至1m?,專為手機鋰電池電路保護設計。WNMD2196A采用先進的溝槽技術設計,提供卓越的RSS(ON)的同時實現低柵極電荷。載流子遷移速度快,闕值電壓低,開關速率高。

        WNMD2196A兼顧性能與設計靈活性。該產品采用 CSP封裝,更緊湊,方便電池應用布板設計。同時,優化的SOA特性,提高承受沖擊電流的能力;超低RSS(ON),可實現更高的效率和更低的溫升,提升了產品的可靠性。

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        WNMD2196A參數

        WNM6008 80V高功率MOSFET 適用太陽能、電池供電應用

        WNM6008——80V高功率MOSFET,采用最新一代Shield Gate技術,針對電信和服務器電源中使用的更高開關頻率進行了優化,具備超低FOM值(開關應用重要優值系數)。WNM6008低開關和導通損耗,可實現更高效率、更優EMI性能。適用于同步整流應用,優化了反向恢復電荷從而實現更低的尖峰電壓,提供最高水平的功率密度和能效,繼而為電源提供更高的效率和更強的可靠性。

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        WNM6008適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路??捎行зx能太陽能、電源和電池供電(例如電動代步車)等應用。該產品符合RoHS環保標準,采用QFN5x6標準緊湊封裝,在實現高功率密度的能量傳輸的同時,方便對市場上同類產品進行升級替換。

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        WNM6008參數

        豪威集團憑借多年技術沉淀,緊跟市場需求,在MOSFET工藝上具有導通阻抗低、封裝緊湊、類型齊全,能夠滿足多種定制化需求的獨特優勢。未來,豪威集團將持續發力電路保護領域,不斷升級創新,為數字電路應用的新時代助力賦能。




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